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150W金(jīn)屬鹵化(huà)物(wù)燈管E27 6500K,金屬鹵化物(wù)燈(dēng)主(zhǔ)要依(yī)靠金(jīn)屬(shǔ)鹵化物(wù)作(zuò)為發(fā)光材(cái)料(liào)，金屬(shǔ)鹵化(huà)物以(yǐ)固體形態存在燈內
。因此(cǐ)，燈(dēng)內(nèi)必(bì)須(xū)充有少量的引燃(rán)氣體(tǐ)氫(qīng)或(huò)氙，

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金屬鹵(lǔ)化物燈(dēng)的(dí)發光機(jī)理(lǐ) 

金屬鹵化物(wù)燈(dēng)主要依靠(kào)金屬鹵(lǔ)化(huà)物作為發光材料，金屬(shǔ)鹵化物以固體(tǐ)形(xíng)態存(cún)在燈(dēng)內(nèi)
。因此(cǐ)，燈內必須充有少量的(dí)引燃氣體氫(qīng)或氙，以便點(diǎn)燃燈(dēng)泡
。燈點(diǎn)燃(rán)後，首(shǒu)先(xiān)工(gōng)作在(zài)低(dī)氣(qì)壓弧光(guāng)放電(diàn)狀態，此時燈兩極電(diàn)壓很低，約(yuē)18～20V，光(guāng)輸(shū)出(chū)也很少，這(zhè)時(shí)主(zhǔ)要產生(shēng)熱能，使(shǐ)整個燈(dēng)體加(jiā)熱，引入(rù)燈中(zhōng)的金屬(shǔ)鹵(lǔ)化(huà)物(wù)隨溫(wēn)度升(shēng)高不(bù)斷蒸發，成為金屬鹵(lǔ)化物蒸(zhēng)氣，在熱(rè)對(duì)流的作用(yòng)下，不(bù)斷(duàn)向電弧(hú)中心(xīn)流動(dòng)，一部(bù)分金(jīn)屬(shǔ)鹵(lǔ)化(huà)物被電(diàn)弧5500～6000K高溫分(fēn)解，成為金(jīn)屬原子和(hé)鹵素原子，在電(diàn)場的作用下，金屬原子被激發發光；150W金(jīn)屬鹵化(huà)物燈管(guǎn)E27 6500K另一(yī)部(bù)分(fēn)金(jīn)屬鹵(lǔ)化物不被電(diàn)弧高(gāo)溫(wēn)所分解，在高溫和電場(cháng)雙(shuāng)重作用(yòng)下，直接激發形(xíng)成(chéng)分子(zǐ)發光
。 

由(yóu)於各(gè)種(zhǒng)金屬鹵化物(wù)蒸(zhēng)發溫度不(bù)同，因此(cǐ)，這些粒子陸續(xù)蒸發參(cān)與發光，所以有不同(tóng)的(dí)原(yuán)子(zǐ)光譜(pǔ)相繼(jì)出(chū)現，隨(suí)著溫(wēn)度的逐(zhú)漸(jiàn)升(shēng)高(gāo)，電(diàn)弧中金屬原子密(mì)度逐漸(jiàn)增(zēng)加(jiā)，產生共振吸(xī)收，原(yuán)子(zǐ)特征(zhēng)光(guāng)譜(pǔ)逐漸減弱直(zhí)至(zhì)消失，並向(xiàng)長(cháng)波(bō)段(duàn)擴展，由於燈溫(wēn)進一(yī)步提高(gāo)並建立熱平衡(héng)，於是全(quán)部(bù)金(jīn)屬鹵化(huà)物蒸發(fā)，分子(zǐ)光譜隨(suí)之出(chū)現，光(guāng)色及亮度也(yě)趨(qū)於穩(wěn)定，燈內氣(qì)壓可(kě)達幾(jī)十(shí)個大氣(qì)壓(yā)，燈內電(diàn)弧由(yóu)低壓弧(hú)光放(fàng)電轉為(wéi)高(gāo)壓弧光放(fàng)電，燈兩(liǎng)端電壓由18～20V上升並逐漸穩定(dìng)到100V左右，進(jìn)入(rù)正(zhèng)常發光(guāng)狀態
。

要(yào)了解(jiě)二(èr)極管的發光原(yuán)理，首先要了(liǎo)解(jiě)半(bàn)導體(tǐ)的基(jī)本(běn)知識(shí)
。半(bàn)導體材(cái)料(liào)的導電(diàn)性質(zhì)介(jiè)於導(dǎo)體(tǐ)和絕緣體(tǐ)材

料之間，它的(dí)*之(zhī)處在(zài)於(yú)：當(dāng)半導體(tǐ)受到外(wài)界光和熱(rè)條(tiáo)件的(dí)刺激時，它的(dí)導電能(néng)力會發生顯著的變(biàn)化(huà)；在純淨(jìng)的(dí)半導體中加入微(wēi)量的雜質(zhì)，其導電(diàn)能(néng)力也會顯(xiǎn)著的(dí)增(zēng)加(jiā)
。在近代電子學(xué)中(zhōng)用(yòng)得(dé)zui多(duō)的半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)就是矽(guī)（Si）和(hé)鍺(zhě)（Ge），它們的zui外層電子(zǐ)都是4個(gè)，在矽或者鍺原子組成(chéng)晶體時相鄰的(dí)原子相(xiāng)互(hù)影(yǐng)響，使外(wài)側電(diàn)子變成兩個(gè)原子共有的(dí)，這就(jiù)形成(chéng)了晶體中的(dí)共價(jià)鍵(jiàn)結構，這是(shì)一(yī)種(zhǒng)約束(shù)能力很(hěn)小的(dí)分子結構
。在室溫（300K）情況(kuàng)下(xià)，由(yóu)於(yú)受(shòu)到熱激(jī)發就會(huì)使(shǐ)一些zui外層(céng)電子獲得足夠(gòu)的能量(liáng)而(ér)脫離共價鍵(jiàn)束(shù)縛變(biàn)成(chéng)自由電(diàn)子(zǐ)，這個(gè)過程叫(jiào)做本征激(jī)發(fā)
。在(zài)電(diàn)子擺(bǎi)脫(tuō)束縛成為自(zì)由(yóu)電子(zǐ)後，共(gòng)價鍵中(zhōng)會留(liú)下一個空(kōng)位，這(zhè)個空位(wèi)稱(chēng)為(wéi)空穴，空穴的出(chū)現(xiàn)是(shì)半導體(tǐ)區別於(yú)導體的一(yī)個(gè)重(zhòng)要特(tè)征
。

由於共價(jià)鍵出現了空(kōng)穴，在外加(jiā)電(diàn)場或者(zhě)其(qí)他(tā)的能源(yuán)作(zuò)用下，鄰近的價電子就會(huì)填(tián)補(bǔ)這個空穴(xué)，而(ér)這個電子(zǐ)的(dí)原(yuán)來(lái)位(wèi)置(zhì)上又形(xíng)成新(xīn)的空穴(xué)，以(yǐ)後其他電子再(zài)轉移到(dào)這個新(xīn)的(dí)空穴上
。這樣就(jiù)產生(shēng)了(liǎo)一(yī)定的電荷轉移(yí)我(wǒ)們(mén)可(kě)以用以下公(gōng)式對(duì)本(běn)征(zhēng)半(bàn)導體(tǐ)中的(dí)自(zì)由電(diàn)子(zǐ)的(dí)濃(nóng)度(dù)進行(háng)計算(suàn)：